Сверхбыстрый графеновый транзистор
Специалистами Исследовательского центра им. Томаса Уотсона компании IBM (США) был сконструирован графеновый полевой транзистор, расчетная граничная частотота транизистора 100 ГГц, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы.
Для создания графенового слоя ученые в течение двух минут выдерживали пластину карбида кремния при температуре 1 450 ˚C. Затем методом электронной литографии формировались электроды истока и стока — слои титана, палладия и золота толщиной 1, 20 и 40 нм.
